25.07.2014 14:28Если вы убеждены, что 3 ГБ ОЗУ и 128 ГБ встроенной флеш-памяти в вашем недавно приобретённом флагманском смартфоне или планшете – является потолком, тогда посмеем вас огорчить.
Технологии не стоят на месте, поэтому вполне прогнозируемо, что уже через несколько лет данными показателями будут обладать лишь бюджетные устройства. Дело в том, что исследователи Университета Райса решили поделиться подробностями своих научных экспериментов, которые позволили создать новый тип резистивной памяти, условно обозначаемой RRAM, производство которой, не будет требовать от производителей глобальной модернизации оборудования, но при этом пам'ять нового типа позволит расширить дисковое пространство мобильных устройств вплоть до одного терабайта.
Учёные признаются, что получить образцы RRAM можно и на используемом в современных производствах оборудовании при комнатной температуре, главное отличие – это использование оксида гористого кремния, в котором промежутки могут быть заполнены золотом или платиной. В итоге, можно получить микрочип, позволяющий хранить 9 бит информации на каждую ячейку, и будет более надёжным и быстрым по сравнению с платой стандартной флеш-памяти. Таким образом, теоретически, можно будет разместить большой объём информации размером в 1 ТБ на кусок кремния, размером не более обычной почтовой марки.