Южнокорейская компания Hynix Semiconductor, второй по величине в мире производитель чипов для мобильных устройств, разработала самый маленький в мире 1-Гигабитный чип памяти DRAM для мобильных телефонов и других портативных устройств. Это первый в мире серийно выпускаемый 1Gb мобильный чип DRAM на базе 66-нм технологии компании Hynix. Новинка обладает улучшенной геометрией обработки данных, что позволяет уменьшить размеры самой микросхемы с одной стороны, и увеличить быстродействие и уменьшить энергопотребление с другой.
Максимальная тактовая частота новинки составляет 200 МГц, что результируется в скорости обработки данных до 1.6 Гбайт/сек и 32-bit I/O – самыми быстрыми на данный момент. Продукт потребляет очень мало энергии, что позволит увеличить время жизни батареи для широкого спектра мобильных и других портативных устройств.
Hynix планирует начать массовое производство нового чипа в первом квартале 2008 года. Он будет доступен под названием 'NAND flash Multi-Chip Package (NAND MCP)', сочетающем в себе DRAM и NAND flash.