27.07.2006 15:08Intel и Micron обьявили о выходе тестового экземпляра NAND flash памяти, сделанной по новой, ведущей в индустрии 50-нанометровой технологии. Обе компании собираются выпускать модули памяти по 4 Гигабита, и планируют наладить массовое производство карт памяти разной ёмкости к 2007.
Переход к 50-нанометровой технологии позволит Iintel и Micron удовлетворить постоянно растущий спрос на всё большие объемы NAND flash памяти для новейших девайсов, таких как цифровые музыкальные плееры, переносные инфоносители или сотовые телефоны.
«Наше появление на NAND flash рынке было очень быстрым и весьма успешным, — говорит Брайен Харрисон, вице-президент и главный менеджер отделения flash-памяти компании Intel. — Мы начали поставлять нашу продукцию уже в первом квартале этого года, и наблюдаем очень высокий спрос на flash носители самой разной ёмкости. Работая вместе с Micron мы быстро осваиваем 50-нанометровую технологию, и это не предел наших возможностей».